鐵銅錫合金粉解決工具鋒利難題
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浙江大學石墨力學實驗室(LogM)的一個研究小組在《NANO》上發表了一篇論文(“化學氣相沉積法生長石墨烯疇跨越銅晶界”) ("Chemical Vapor Deposition Growth of Graphene Domains Across the Cu Grain Boundaries")，浙江大學石墨力學實驗室(LogM)的研究小組已經表明，石墨烯單晶的CVD生長與其成核后生長襯底的結晶度明顯不相關，并證明了石墨烯單晶在Cu上的晶格取向只取決于成核的Cu晶粒，研究人員采用環境壓力(AP)CVD代替傳統低壓(LP)CVD法，并仔細調整生長參數，成功地在多晶銅表面獲得了毫米級和鋸齒形邊緣結構的六方石墨烯單晶。結果表明，對于生長在Cu上的石墨烯單晶，其晶格取向是由其核與襯底的結合能決定的，這可能是由銅臺階附連成核模式決定的，并且在隨后持續傳入前體的膨脹過程中保持不變。
近日，中國科學院山西煤炭化學研究所研究員李學寬團隊與山西大學教授楊恒權團隊合作，首次提出了以Pickering乳液為模板，基于表面活性劑乳滴限域空間組裝來制備內部結構豐富的碳微球的合成策略，并取得成功。碳微球由于具有良好的化學穩定性、低的流體阻力、便于與反應系統分離等特點，在實際的工業應用中具有很大的優勢。尤其是具有多級或多區域內部結構的微球，不僅能顯著提高內部的傳質，更讓發生在其內部的化學過程的時空控制成為可能。因此，合成具有可控內部結構的碳微球受到研究人員的廣泛關注。然而迄今為止，現存的方法都無法滿足在微米尺度上合成具有內部豐富結構的碳球。
